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叶志镇--电子与通讯、物理学

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姓名：叶志镇

所在的机构:浙江大学

主要研究方向:半导体薄膜与器件、纳米电子材料

社会关系、社会职务:全国电子材料委员会委员
全国半导体与集成技术委员会委员
中国有色金属半导体材料委员会委员
全国半导体物理委员会委员
浙江省纳米材料与应用协会副理事长
宁波市省部共建功能材料重点实验室学术委员会副主任
《半导体学报》《材料科学与工程》编委

出生年月:1955年

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【已发表论文】：

［1］简中祥叶志镇高国华卢洋藩赵炳辉曾昱嘉朱丽萍.Al-N共掺P型Zn0.95Mg0.05O薄膜的性能［Ｊ］.半导体学报，2007，28(3)：425～

［2］吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉.金属诱导生长与超高真空化学气相沉积方法相结合制备多晶锗硅薄膜［Ｊ］.物理学报，2006，55(7)：3756～

［3］吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉.超高真空CVD选择性外延锗硅及其电学特性［Ｊ］.浙江大学学报：工学版，2006，40(12)：2041～

［4］吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉.金属诱导生长法在Ni硅化物上异质生长多晶GeSi薄膜［Ｊ］.半导体学报，2006，27(4)：721～

［5］赵星叶志镇吴贵斌刘国军赵炳辉唐九耀.H2对UHV／CVD低温选择性外延生长Si1-xGex的影响［Ｊ］.半导体学报，2006，27(1)：78～

［6］周新翠叶志镇陈福刚徐伟中缪燕黄靖云吕建国朱丽萍赵炳辉.MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜［Ｊ］.半导体学报，2006，27(1)：91～

［7］林益梅叶志镇陈兰兰朱丽萍黄靖云.ZnO薄膜的缺陷研究进展［Ｊ］.真空科学与技术学报，2006，26(5)：385～

［8］王敬蕊叶志镇赵炳辉朱丽萍唐海平.AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展［Ｊ］.真空科学与技术学报，2006，26(4)：308～

［9］吴贵斌叶志镇赵星刘国军赵炳辉.金属诱导生长多晶锗硅薄膜的电学性能研究［Ｊ］.真空科学与技术学报，2006，26(3)：236～

［10］叶志镇龚秋星.以创新为导向以人才为根本——以浙江大学近5年的发展为例试谈研究型大学科学发展之路［Ｊ］.中国科学基金，2006，20(6)：333～

［11］刘国军叶志镇吴贵斌孙伟峰赵星赵炳辉.SiGe／Si异质结光电器件［Ｊ］.材料导报，2006，20(1)：116～

［12］叶志镇.同质ZnO-LED室温电致发光研究取得突破性进展［Ｊ］.中国基础科学，2006，8(3)：50～

［13］叶志镇徐伟中曾昱嘉江柳赵炳辉朱丽萍吕建国黄靖云汪雷李先杭.MOCVD法制备ZnO同质发光二极管［Ｊ］.半导体学报，2005，26(11)：2264～

［14］吴贵斌叶志镇刘国军赵炳辉崔继峰.超高真空化学气相生长用于应变硅的高质量SiGe缓冲层［Ｊ］.半导体学报，2005，26(11)：2139～

［15］孙伟峰叶志镇朱丽萍赵炳辉.UHV—CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用［Ｊ］.半导体学报，2005，26(11)：2111～

［16］吕建国叶志镇诸葛飞曾昱嘉赵炳辉朱丽萍.N—Al共掺ZnO薄膜的P型传导特性［Ｊ］.半导体学报，2005，26(4)：730～

［17］何作鹏季振国杜娟王玮范镓叶志镇.溶胶-凝胶提拉法制备MgcNi1-xO薄膜与表征［Ｊ］.半导体学报，2005，26(4)：721～

［18］徐伟中叶志镇周婷赵炳辉朱丽萍黄靖云.MOCVD法以NO气体为掺杂源生长P型ZnO薄膜［Ｊ］.半导体学报，2005，26(1)：38～

［19］曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠诸葛飞赵炳辉.脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征［Ｊ］.真空科学与技术学报，2005，25(4)：256～

［20］王新昌叶志镇李士玲曹亮亮赵炳辉.硅基LiNbO3薄膜的光波导性能研究［Ｊ］.真空科学与技术学报，2005，25(4)：245～

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【已申请专利】：

申报国家专利近50项，已获授权发明专利15项，新型实用专利12项

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